| 发明名称 | 以阻挡层为构成层的薄膜晶体管以及用于阻挡层的溅射成膜的Cu合金溅射靶 | ||
| 摘要 | 该Cu合金溅射靶含有以原子%计的Al：1～10%、Ca：0.1～2%，并含有Cu和1%以下的不可避免的杂质作为余量部分。该薄膜晶体管具有：经由密合层接合于玻璃基板的表面的栅电极层、栅绝缘层、Si半导体层、n型Si半导体层、阻挡层、由彼此分离的漏电极层和源电极层构成的布线层、钝化层以及透明电极层，上述阻挡层是使用上述Cu合金溅射靶在氧化气氛中溅射成膜而成的。 | ||
| 申请公布号 | CN102349157B | 申请公布日期 | 2014.09.10 |
| 申请号 | CN200980157928.8 | 申请日期 | 2009.10.22 |
| 申请人 | 三菱综合材料株式会社;株式会社爱发科 | 发明人 | 牧一诚;谷口兼一;中里洋介;森晓 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;C22C9/00(2006.01)I;C22C9/01(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I;H01L21/285(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/417(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 孙秀武;高旭轶 |
| 主权项 | 阻挡层与n型Si半导体层具有高密合强度的薄膜晶体管，其特征在于，该薄膜晶体管具有：玻璃基板、栅电极层、栅绝缘层、Si半导体层、n型Si半导体层、阻挡层、由彼此分离的漏电极层和源电极层构成的布线层、钝化层以及透明电极层，上述层按照该顺序从上述玻璃基板侧依次层叠而形成，上述栅电极层经由密合层接合于上述玻璃基板的表面，上述阻挡层是使用Cu合金溅射靶在氧化气氛中溅射成膜而成的，所述Cu合金溅射靶具有如下成分组成：含有以原子%计的Al：1～10%、Ca：0.1～2%，并含有Cu和1%以下的不可避免的杂质作为余量部分。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||