| 发明名称 | 铜互连结构及铜互连结构的制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种铜互连结构及铜互连结构的制作方法。所述铜互连结构包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上的第一层间介质层；贯穿所述第一层间介质层的铜插塞；位于所述第一层间介质层上的第二层间介质层；贯穿所述第二层间介质层的铜互连线；所述第一层间介质层与所述铜互连线之间具有第一保护层，所述第二层间介质层与所述铜互连线之间具有第二保护层。本发明提供的铜互连结构中，铜互连线与第一层间介质层之间包括第一保护层，铜互连线与第二介质层之间包括第二保护层，从而避免了铜互连线与第一层间介质层和第二层间介质层直接接触，防止第一层间介质层和第二层间介质层被铜互连线压裂。 | ||
| 申请公布号 | CN104037160A | 申请公布日期 | 2014.09.10 |
| 申请号 | CN201310069905.X | 申请日期 | 2013.03.05 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 周鸣 |
| 分类号 | H01L23/532(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/532(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种铜互连结构，其特征在于，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上的第一层间介质层；贯穿所述第一层间介质层的铜插塞；位于所述第一层间介质层上的第二层间介质层；贯穿所述第二层间介质层的铜互连线；所述第一层间介质层与所述铜互连线之间具有第一保护层，所述第二层间介质层与所述铜互连线之间具有第二保护层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||