| 发明名称 | 接触结构以及采用所述接触结构的半导体存储元件 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体存储元件，包含有一基材，其上包含一存储阵列区域以及一外围电路区域；一第一介电层，覆盖所述存储阵列区域以及所述外围电路区域；一第二介电层，位于所述第一介电层上，覆盖所述存储阵列区域以及所述外围电路区域；至少一电容结构，位于所述存储阵列区域内，且所述电容结构包含一电极材料层，埋设在所述第二介电层中；以及一接触结构，包含所述电极材料层。 | ||
| 申请公布号 | CN104037176A | 申请公布日期 | 2014.09.10 |
| 申请号 | CN201410027852.X | 申请日期 | 2014.01.21 |
| 申请人 | 南亚科技股份有限公司 | 发明人 | 俞建安;吴奇煌 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01)I;H01L27/108(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人 | 江耀纯 |
| 主权项 | 一种半导体存储元件，其特征在于，包含：一基材，其上包含一存储阵列区域以及一外围电路区域；一第一介电层，覆盖所述存储阵列区域以及所述外围电路区域；一第二介电层，位于所述第一介电层上，覆盖所述存储阵列区域以及所述外围电路区域；至少一电容结构，位于所述存储阵列区域内，且所述电容结构包含一电极材料层，埋设在所述第二介电层中；以及一接触结构，包含所述电极材料层。 | ||
| 地址 | 中国台湾桃园县 | ||