| 发明名称 | 防老化光电位移传感器 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种防老化光电位移传感器，包括半导体衬底、半导体衬底表面的Al掺杂氧化锌薄膜以及薄膜表面的两个铟点电极。通过在经超声清洗的Si基片上沉积Al掺杂ZnO薄膜替代金属-氧化物-半导体结构中金属薄膜层，可以得到基于侧向光伏效应的防老化光电位移传感器。该传感器的非线性率可以控制在3.22%,位置灵敏度可以达到41.85mV/mm。且由于直接使用Al掺杂ZnO靶材，制备工艺简单，可以在实际生产中大规模制备。 | ||
| 申请公布号 | CN104022168A | 申请公布日期 | 2014.09.03 |
| 申请号 | CN201410229653.7 | 申请日期 | 2014.05.28 |
| 申请人 | 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司 | 发明人 | 何丹农;卢静;尹桂林 |
| 分类号 | H01L31/0264(2006.01)I;H01L31/09(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;G01B7/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/0264(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海东方易知识产权事务所 31121 | 代理人 | 唐莉莎 |
| 主权项 | 一种防老化光电位移传感器，其特征在于，包括半导体衬底、半导体衬底表面的Al掺杂氧化锌薄膜以及薄膜表面的两个铟点电极。 | ||
| 地址 | 200241 上海市闵行区江川东路28号 | ||