| 发明名称 |
具有半导体本体、绝缘层和平面导电结构之光电组件及其制造方法 |
| 摘要 |
一种具有至少一个半导体本体(2)之光电组件(10)，该半导体本体(2)具有辐射发出侧(20)。该半导体本体(2)以与该辐射发出侧(20)相面对之侧而配置在基板(1)上，其中在该辐射发出侧(20)上配置至少一电性连接区(22)，其上配置一个金属凸起(3)。此外，该半导体本体(2)之至少一部份设有一绝缘层(4)，其中该金属凸起(3)突出于该绝缘层(4)。在该绝缘层(4)上配置至少一平面导电结构(5)以与该半导体本体(2)形成平面接触，该平面导电结构(5)经由该金属凸起(3)而可导电地与该电性连接区(22)相连接。又，本发明亦提供该光电组件(10)之制造方法。 |
| 申请公布号 |
TWI451599 |
申请公布日期 |
2014.09.01 |
| 申请号 |
TW099129447 |
申请日期 |
2010.09.01 |
| 申请人 |
欧斯朗奥托半导体股份有限公司 德国 |
发明人 |
维德纳 卡尔;渥斯 瑞夫;卡坦巴克 阿塞;威吉勒特 华特;巴克曼 伯恩;伍兹 奥利佛;玛菲德 珍 |
| 分类号 |
H01L33/38;H01L33/62;H01L23/48 |
主分类号 |
H01L33/38 |
| 代理机构 |
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代理人 |
何金涂 台北市大安区敦化南路2段77号8楼;丁国隆 台北市大安区敦化南路2段77号8楼 |
| 主权项 |
一种具有至少一个半导体本体(2)之光电组件(10)，该半导体本体(2)具有辐射发出侧(20)，且该半导体本体(2)以与该辐射发出侧(20)相面对之侧配置在基板(1)上，其中- 在该辐射发出侧(20)上配置至少一电性连接区(22)，其上配置一金属凸起(3)，- 该半导体本体(2)之至少一部份设有一绝缘层(4)，其中该金属凸起(3)突出于该绝缘层(4)，- 在该辐射发出侧(20)上配置该绝缘层(4)，且- 在该绝缘层(4)上配置至少一平面导电结构(5)以与该半导体本体(2)形成平面接触，该平面导电结构(5)经由该金属凸起(3)而可导电地与该电性连接区(22)相连接，- 绝缘层(4)是箔，且- 该金属凸起(3)是一柱头凸块或是一焊锡球。 |
| 地址 |
德国 |
