| 摘要 |
Chipträger (110), umfassend: eine erste (121), zweite (122) und dritte Schicht (123), wobei sich die zweite Schicht (122) zwischen der ersten (121) und dritten Schicht (123) befindet; und wobei die erste (121) und dritte Schicht (123) aus einem ersten Material gebildet sind, wobei das erste Material Kupfer ist; die zweite Schicht (122) aus einem zweiten Material gebildet ist, wobei das zweite Material Alloy 42 ist; die zweite Schicht (122) mehrere sich durch sie hindurch erstreckende Löcher (130) aufweist, die einen Durchmesser im Bereich von etwa 0,2 mm bis zu etwa 0,8 mm aufweisen; die zweite Schicht (122) eine Dicke von etwa 0,05 mm aufweist; die erste Schicht (121) und die dritte Schicht (123) jeweils eine Dicke von etwa 0,15 mm aufweisen; die Löcher (130) mit dem ersten Material gefüllt sind; und der Wärmeausdehnungskoeffizient des zweiten Materials kleiner als der des ersten Materials ist. |
