WAlN硬质纳米结构薄膜及制备方法

摘要

本文发明公开了一种WAlN硬质纳米结构薄膜及其制备方法，其特征在于是该薄膜厚度1-3um，含有W、Al、N元素，其中W含量为60at.％-100at.％且不等于100at.％，Al含量为0at.％-40at.％且不等于0，N元素以CrN过渡层的形式存在。是以高纯W靶和Al靶为靶材，采用双靶共焦射频反应法在硬质合金或陶瓷基体上沉积获得，沉积时，真空度优于3.0×10^-3Pa，以氩气起弧，氮气为反应气体，氩氮流量比10:(6-15)，溅射气压0.3Pa。该方法生产效率高，所得薄膜兼具高硬度和优异的摩擦性能，可作为高速、干式切削的纳米结构硬质薄膜。

主权项

WAlN硬质纳米结构薄膜，其特征在于是采用双靶共焦射频反应溅射法在硬质合金或陶瓷基体上沉积得到，薄膜厚度1‑3um，含有W、Al、N元素，其中W含量为60at.％‑100at.％且不等于100at.％，Al含量为0at.％‑40at.％且不等于0，N元素以CrN过渡层的形式存在。