| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体器件以及制造该半导体器件的方法。所述半导体器件包括：半导体层，其具有第一导电型；一对第一电极，它们彼此分隔开地布置在所述半导体层中；第二电极，其设置在所述半导体层上并位于所述一对第一电极之间，在所述第二电极与所述半导体层之间具有介电膜；以及一对连接部，它们分别电连接到所述一对第一电极，其中，所述一对第一电极中的一者或两者被划分成第一区域和第二区域，所述第一区域与第二区域经由桥连部连接。利用本发明的半导体器件能够在防止接触部烧毁的同时减小半导体器件的面积。 | ||
| 申请公布号 | CN104009038A | 申请公布日期 | 2014.08.27 |
| 申请号 | CN201410054310.1 | 申请日期 | 2014.02.18 |
| 申请人 | 索尼公司 | 发明人 | 小林正治;柳泽佑辉 |
| 分类号 | H01L27/112(2006.01)I;H01L21/8246(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/112(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人 | 曹正建;陈桂香 |
| 主权项 | 一种半导体器件，其包括：半导体层，其具有第一导电型；一对第一电极，它们彼此分隔开地布置在所述半导体层中；第二电极，其设置在所述半导体层上并位于所述一对第一电极之间，在所述第二电极与所述半导体层之间具有介电膜；以及一对连接部，它们分别电连接到所述一对第一电极，其中，所述一对第一电极中的一者或两者被划分成第一区域和第二区域，所述第一区域与第二区域经由桥连部连接。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||