| 发明名称 | 新型Fe/P3HT颗粒薄膜磁电阻器件及制备 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种Fe/P3HT颗粒薄膜磁电阻器件及其制备方法。该新型磁电阻器件在制备过程中采用旋涂与离子束沉积相结合的方法，该方法灵活简便、成本低，与现有薄膜工艺兼容性好，获得的薄膜质量较高，制得的磁电阻器件具有较高的室温磁电阻。 | ||
| 申请公布号 | CN104009152A | 申请公布日期 | 2014.08.27 |
| 申请号 | CN201410242513.3 | 申请日期 | 2014.05.30 |
| 申请人 | 南开大学 | 发明人 | 程雅慧;贺婕;刘晖;刘孟寅;王卫超;王维华;卢峰 |
| 分类号 | H01L43/08(2006.01)I;H01L43/12(2006.01)I | 主分类号 | H01L43/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 一种新型的Fe/P3HT颗粒薄膜磁电阻器件，其特征在于在有机半导体P3HT薄膜上，通过离子束沉积的方法嵌入Fe的纳米颗粒，形成一种颗粒薄膜结构。 | ||
| 地址 | 300071 天津市南开区卫津路94号南开大学 | ||