半导体处理用之热处理装置

摘要

本发明系提供一种半导体处理用之热处理装置，其具备反应管，其系具有收纳间隔而叠置之复数个被处理基板之处理区域者；在前述反应管之壁外侧，一体地附设有在涵盖前述处理区域之范围内上下方向延伸之气体供给道；在前述反应管之前述壁侧部，形成复数个气体喷出孔，其在涵盖前述处理区域之范围内上下方向排列，且与前述气体供给道连通；在前述气体供给道之底部，连接有气体供给系，其经由前述气体供给道及前述复数个气体喷出孔，向前述处理区域供给处理气体。

主权项

一种半导体处理用之热处理装置，其包含：反应管，其系具有收纳间隔而叠置之复数个被处理基板之处理区域者；支持部件，其系在前述处理区域内支持前述被处理基板者；排气系，其系将前述处理区域内排气者；加热器，其系加热前述处理区域内之前述被处理基板者；沿上下方向延伸之气体供给道，其系一体地附设在前述反应管之壁外侧者；气体放出开口，其系形成于前述反应管之前述壁，且与前述气体供给道连通者；气体供给系，其系连接于前述气体供给道之底部，经由前述气体供给道及前述气体放出开口向前述处理区域供给处理气体者；前述反应管具有将前述支持部件搬出搬入底部之搬送埠，且具有与包围前述搬送埠之前述反应管形成一体之凸缘，前述凸缘配设为与开关前述搬送埠之盖体相卡合，前述气体供给道之底部藉由前述凸缘之上面而规定，在前述凸缘内形成将来自前述气体供给系之前述处理气体导入前述气体供给道之气体流路。