| 发明名称 | 半导体器件及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本申请提供了一种半导体器件及其形成方法。根据本发明的实施例，半导体器件包括：半导体衬底；绝缘层，位于所述半导体衬底上；半导体基体，所述半导体基体位于所述绝缘层上；空腔，所述空腔形成于所述半导体基体和绝缘层中；源漏区，所述源漏区接于所述半导体基体的相对的第一侧面；栅极，所述栅极位于所述半导体基体的相对的第二侧面上；在所述第二侧面和所述空腔之间夹有沟道层；超陡后退阱及晕环超陡后退阱，形成于所述沟道层中，所述超陡后退阱与晕环超陡后退阱掺杂类型相反。利于减小半导体器件中的短沟道效应、源漏区电阻及寄生电容，并可调节半导体器件的阈值电压。 | ||
| 申请公布号 | CN102569395B | 申请公布日期 | 2014.08.20 |
| 申请号 | CN201010617418.9 | 申请日期 | 2010.12.31 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 朱慧珑;吴昊;肖卫平 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/43(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 倪斌 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：半导体衬底；绝缘层，位于所述半导体衬底上；半导体基体，所述半导体基体位于所述绝缘层上；空腔，所述空腔形成于所述半导体基体和绝缘层中；源漏区，所述源漏区接于所述半导体基体的相对的第一侧面；栅极，所述栅极位于所述半导体基体的相对的第二侧面上，其特征在于，还包括：在所述第二侧面和所述空腔之间夹有沟道层；超陡后退阱及晕环超陡后退阱，形成于所述沟道层中，所述超陡后退阱与晕环超陡后退阱掺杂类型相反。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||