| 发明名称 | 一种纳米级三态阻变存储器及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种纳米级三态阻变存储器，其是在Pt/Ti/SiO<sub>2</sub>/Si衬底的Pt膜层上依次沉积有nc-Si:H膜和Ag电极膜。本发明同时公开了其制备方法，具体是采用PECVD方法在Pt/Ti/SiO<sub>2</sub>/Si衬底生长一层nc-Si:H膜，然后采用磁控溅射的方法在nc-Si:H膜上生长Ag电极。本发明的三态阻变存储器具有长的保持时间和良好的开关性能，呈现出较为稳定三阻态的保持，其保持时间长达2.3×10<sup>5</sup>s；并且高阻态电阻与中间阻态电阻的开关阻值比大于10<sup>2</sup>，中间阻态电阻与低阻态电阻的开关阻值比大于10<sup>5</sup>，拥有显著的开关效应。 | ||
| 申请公布号 | CN103996790A | 申请公布日期 | 2014.08.20 |
| 申请号 | CN201410230154.X | 申请日期 | 2014.05.28 |
| 申请人 | 河北大学 | 发明人 | 闫小兵;陈英方;郝华;娄建忠 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 石家庄国域专利商标事务所有限公司 13112 | 代理人 | 白海静 |
| 主权项 | 一种纳米级三态阻变存储器，其特征是，其是在Pt/Ti/SiO<sub>2</sub>/Si衬底的Pt膜层上依次生长有nc‑Si:H膜和Ag电极膜；所述nc‑Si:H膜的厚度为50~350nm，所述Ag电极膜的厚度为50~200nm。 | ||
| 地址 | 071002 河北省保定市五四东路180号 | ||