鳍结构的形成方法

摘要

本发明公开了一种鳍结构的形成方法，其包括：在半导体衬底上表面形成一硬介质掩膜层并对其进行图形化，并对所述半导体衬底进行刻蚀处理，以形成鳍中具有倾斜侧面的下部分结构；在刻蚀处理后的半导体衬底上表面沉积氧化物并对其进行化学机械研磨处理，以裸露图形化后的所述硬介质掩膜层，去除图形化后的所述硬介质掩膜层并在图形化后的所述硬介质掩膜层对应的位置处进行硅外延处理，以形成鳍中具有垂直侧面的上部分结构；对所述半导体衬底上表面沉积的氧化物进行刻蚀处理，以裸露鳍中具有垂直侧面的上部分结构。本发明鳍中下部分结构和上部分可以同质或异质，满足了NMOS和PMOS对沟道的不同要求。

主权项

一种鳍结构的形成方法，其特征在于，包括：在半导体衬底上表面形成一硬介质掩膜层并对其进行图形化，并对所述半导体衬底进行刻蚀处理，以形成鳍中具有倾斜侧面的下部分结构；在刻蚀处理后的半导体衬底上表面沉积氧化物并对其进行化学机械研磨处理，以裸露图形化后的所述硬介质掩膜层，去除图形化后的所述硬介质掩膜层并在图形化后的所述硬介质掩膜层对应的位置处进行硅外延处理，以形成鳍中具有垂直侧面的上部分结构；对所述半导体衬底上表面沉积的氧化物进行刻蚀处理，以裸露鳍中具有垂直侧面的上部分结构。