| 摘要 |
Ein Halbleiter-Bauelement weist eine oder mehrere Transistorzellen auf, die auf ein Siliciumcarbid-Substrat (SiC) eines ersten Leitfähigkeitstyps angebracht sind, wobei jede der Transistorzellen Folgendes aufweist: eine Wannenregion eines zweiten Leitfähigkeitstyps, das auf einer ersten Fläche des SiC-Substrats ausgebildet ist; ein Source-Gebiet des ersten Leitfähigkeitstyps, das in der Wannenregion ausgebildet ist; eine Gate-Elektrode, die mit einer Gate-Isolierschicht ausgebildet ist; eine Source-Elektrode, die so ausgebildet ist, dass sie in Kontakt mit dem Source-Gebiet gebracht werden kann; und eine Drain-Elektrode, die auf einer zweiten Fläche des SiC-Substrats ausgebildet ist. Das Halbleiter-Bauelement weist weiterhin ein Gebiet des zweiten Leitfähigkeitstyps auf, das sich dicht an der Außenseite der äußersten Zelle der Transistorzellen befindet und der Wannenregion umgibt und gegen die Gate-Elektrode und die Source-Elektrode isoliert ist. |
