| 发明名称 | 形成含碳外延硅层的方法 | ||
| 摘要 | 在第一方面中，提供一种在基材上形成外延层叠层的方法。此方法包含：(1)选择所述外延层叠层的目标碳浓度；(2)在所述基材上形成含碳硅层，所述含碳硅层所具有的初始碳浓度、厚度以及沉积时间中的至少之一依据所选择的目标碳浓度进行选择；以及(3)在蚀刻前，在所述含碳硅层上形成非含碳硅层。亦提供多种其它方面。 | ||
| 申请公布号 | CN103981568A | 申请公布日期 | 2014.08.13 |
| 申请号 | CN201410226203.2 | 申请日期 | 2007.07.31 |
| 申请人 | 应用材料公司 | 发明人 | Y·金;Z·叶;A·佐嘉吉 |
| 分类号 | C30B25/02(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I | 主分类号 | C30B25/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 陆嘉 |
| 主权项 | 一种在基材上形成外延层叠层的方法，包含：(a)在所述基材上形成含碳硅层；(b)在蚀刻之前在所述含碳硅层上形成非含碳硅层；(c)使来自所述含碳硅层的碳分布至所述非含碳硅层；(d)蚀刻所述外延层叠层以移除所述非含碳硅层的一部分；(e)重复步骤(a)至(d)，直至所述经蚀刻的外延层叠层具有期望的厚度；以及(f)控制所述含碳硅层的以下一个或多个：(i)初始碳浓度，(ii)厚度，以及(iii)沉积时间，以获得所述经蚀刻的外延层叠层的目标碳浓度。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||