发明名称 |
产生混合光的配置及方法 |
摘要 |
本发明的配置及方法均具有至少两个发射不同波长范围之电磁辐射的半导体元件。所有半导体元件发射之电磁辐射的重叠至少有一部分位于可见光波长范围。其中至少有一个半导体元件具有一个位于光程上的发光转换元件。这个半导体元件具有一个与半导体晶片及发光转换元件均结在一起的体积灌注块。一种有利的方式是将发光转换元件直接涂抹或覆盖在半导体晶片上。为了使能源使用效率极大化,半导体元件具有一个反射元件。 |
申请公布号 |
TWI449207 |
申请公布日期 |
2014.08.11 |
申请号 |
TW097103670 |
申请日期 |
2008.01.31 |
申请人 |
欧斯朗奥托半导体股份有限公司 德国 |
发明人 |
乔治波纳;史帝芬葛罗屈;柏索德韩;韦克哈勒;柯斯丁彼得森 |
分类号 |
H01L33/00 |
主分类号 |
H01L33/00 |
代理机构 |
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代理人 |
何金涂 台北市大安区敦化南路2段77号8楼;丁国隆 台北市大安区敦化南路2段77号8楼 |
主权项 |
一种产生混合光的配置,具有至少两个发射不同波长范围之电磁辐射的半导体元件作为光源,每个半导体元件包含半导体晶片,其中至少有一个半导体元件在光程中具有组件外壳及发光转换元件,发光转换元件将由半导体晶片所产生的一次波长转换为二次波长,其中半导体晶片包含材料,半导体晶片的材料最小程度地吸收并且最大程度地反射经转换的二次波长,其中,以发光转换元件和组件外壳形成一个水平面(one level)的方式,将发光转换元件配置在半导体元件的组件外壳的上部内侧,其中,产生混合光的配置,系在光程中包含滤光器,其中,滤光器系在光程中、直接配置在发光转换元件的下面且在半导体元件的组件外壳内,其中,滤光器和发光转换元件系与半导体晶片分开的,其中,滤光器包含了允许一次波长通过并反射经转换的二次波长辐射的材料。 |
地址 |
德国 |