体声波薄膜共振器及其制造方法

摘要

一种体声波薄膜共振器，其包含一矽基板、一第一金属层、一压电层以及一第二金属层，该第一金属层系形成于该矽基板上，该第一金属层系包含有复数个下电极，该压电层系覆盖该第一金属层，该压电层系至少具有一第一上电极设置区、一第二上电极设置区、一第三上电极设置区、一环绕该第一上电极设置区外侧之第一改质区、一环绕该第二上电极设置区外侧之第二改质区及一环绕该第三上电极设置区外侧之第三改质区，该第二金属层系形成于该压电层上，该第二金属层系包含有一第一上电极、一第二上电极及一第三上电极，该第一上电极系位于该第一上电极设置区，该第二上电极系位于该第二上电极设置区，该第三上电极系位于该第三上电极设置区。

主权项

一种体声波薄膜共振器，其至少包含：一矽基板，其系具有一第一表面与一第二表面；一第一金属层，其系形成于该矽基板上，该第一金属层系包含有复数个下电极；一压电层，其系覆盖该第一金属层，该压电层系至少具有一第一上电极设置区、一第二上电极设置区、一第三上电极设置区、一环绕该第一上电极设置区外侧之第一改质区、一环绕该第二上电极设置区外侧之第二改质区及一环绕该第三上电极设置区外侧之第三改质区，该第一上电极设置区系具有一第一密度，该第二上电极设置区系具有一第二密度，该第三上电极设置区系具有一第三密度，该第一改质区系具有一第一改质后密度，该第二改质区系具有一第二改质后密度，该第三改质区系具有一第三改质后密度，该第一改质后密度、该第二改质后密度及该第三改质后密度系不等于该第一密度、该第二密度及该第三密度；以及一第二金属层，其系形成于该压电层上，该第二金属层系包含有一第一上电极、一第二上电极及一第三上电极，该第一上电极系位于该第一上电极设置区，该第二上电极系位于该第二上电极设置区，该第三上电极系位于该第三上电极设置区。