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Ein Speichersystem weist ein nicht-flüchtiges Speicherbauelement und einen Speichercontroller auf, der ausgelegt ist, das nicht-flüchtige Speicherbauelement so zu steuern, dass Speicherzellen, die mit einer ausgewählten Zeile des nicht-flüchtigen Speicherbauelements verbunden sind, durch einen von einem ersten Programmiermodus und einem zweiten Programmiermodus programmiert werden. In dem ersten Programmiermodus wird eine Mehrzahl von logischen Seiten, die in ihrer Anzahl einer maximalen Seitenanzahl entsprechen, in den Speicherzellen gespeichert und in dem zweiten Programmiermodus werden eine oder mehrere Seiten, deren Anzahl kleiner als die maximale Seitenanzahl ist, in den Speicherzellen gespeichert unter Verwendung einer Vorspannungsbedingung, die verschieden ist von derjenigen, welche in dem ersten Programmiermodus verwendet wird. |
