| 发明名称 | 光电子半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明提出了一种光电子半导体器件，其具有基于氮化物半导体的半导体层序列(3)，该半导体层序列包括n掺杂区域(4)、p掺杂区域(8)和设置在n掺杂区域(4)和p掺杂区域(8)之间的有源区(5)。p掺杂区域(8)包括In<sub>x</sub>Al<sub>y</sub>Ga<sub>1-x-y</sub>N构成的p接触层(7)，其中0≤x≤1，0≤y≤1且x+y≤1。p接触层与金属、金属合金或者透明导电氧化物构成的连接层(9)邻接，其中p接触层(7)在朝着连接层(9)的界面上具有带Ga面取向的第一晶畴(1)以及带N面取向的第二晶畴(2)。 | ||
| 申请公布号 | CN102187484B | 申请公布日期 | 2014.08.06 |
| 申请号 | CN200980141726.4 | 申请日期 | 2009.09.16 |
| 申请人 | 欧司朗光电半导体有限公司 | 发明人 | 马丁·斯特拉斯伯格;卢茨·赫佩尔;马蒂亚斯·彼得;乌尔里克·策恩德;泷哲也;安德烈亚斯·莱贝尔;赖纳·布滕戴奇;托马斯·鲍尔 |
| 分类号 | H01L33/40(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/40(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 王萍;周涛 |
| 主权项 | 一种光电子半导体器件，其具有基于氮化物半导体的半导体层序列(3)，该半导体层序列包括n掺杂区域(4)、p掺杂区域(8)和设置在n掺杂区域(4)和p掺杂区域(8)之间的有源区(5)，其中p掺杂区域(8)包括In<sub>x</sub>Al<sub>y</sub>Ga<sub>1‑x‑y</sub>N构成的p接触层(7)，其中0≤x<1，0≤y<1且x+y<1，该p接触层与金属、金属合金或者透明导电氧化物构成的连接层(9)邻接，其中p接触层(7)在朝着连接层(9)的界面上具有带Ga面取向的第一晶畴(1)以及带N面取向的第二晶畴(2)。 | ||
| 地址 | 德国雷根斯堡 | ||