一种加速DRAM灵敏放大器的方法

摘要

本发明提供一种加速DRAM灵敏放大器的方法，包括以下步骤：第一NMOS管的栅极信号SANT升高打开第一NMOS管，第一NMOS管的漏极信号NCS被拉低到地电压，参考位线bl_n开始被往地电压拉；然后，第二NMOS管的栅极信号SAP1T升高使第二NMOS管导通，使第二NMOS管的源极信号PCS被拉高至高电压VOD，位线bl电压被快速拉高至高于电压VBLH，然后第二NMOS管的栅极信号SAP1T变为低电平；然后，第三NMOS管的栅极信号SAP2T升高使第三NMOS管导通，第三NMOS管的源极信号PCS被拉至电压VBLH，位线bl慢慢降低至VBLH电压。本发明保证了DRAM存储单元的可靠性。

主权项

一种加速DRAM灵敏放大器的方法，其特征在于，包括以下步骤：第一NMOS管（NMOS1）的栅极信号SANT升高打开第一NMOS管（NMOS1），第一NMOS管（NMOS1）的漏极信号NCS被拉低到地电压，参考位线bl_n开始被往地电压拉；然后，第二NMOS管（NMOS3）的栅极信号SAP1T升高使第二NMOS管（NMOS3）导通，使第二NMOS管（NMOS3）的源极信号PCS被拉高至高电压VOD，位线bl电压被快速拉高至高于电压VBLH，然后第二NMOS管（NMOS3）的栅极信号SAP1T变为低电平；然后，第三NMOS管（NMOS2）的栅极信号SAP2T升高使第三NMOS管（NMOS2）导通，第三NMOS管（NMOS2）的源极信号PCS被拉至电压VBLH，位线bl慢慢降低至VBLH电压。