一种防止图案缺失的方法及其晶圆制造方法

摘要

本发明公开了一种防止图案缺失的方法，尤其是防止掩膜层图案缺失的方法，依次包括：在晶圆的一个表面上生长多晶硅层；在多晶硅层表面形成掩膜层；在多晶硅层表面形成的掩膜层上形成厚度在4000埃以上的保护层；去除多余掩膜层；去除保护层。本发明还提供了一种防止图案缺失的晶圆制造方法，依次包括：在晶圆上的一个表面上生长多晶硅层；在多晶硅层上形成掩膜层；在掩膜层上形成厚度在4000埃以上的保护层；去除晶圆背面的掩膜层；去除保护层；刻蚀晶圆形成电路图案。本发明提供的方法科学有效的避免了图案缺失的问题，尤其是避免了掩膜层图案缺失，而且不会增加工艺时间和生产成本。

主权项

一种防止图案缺失的方法，其特征在于，该方法依次包括以下步骤：在晶圆的一表面上生长多晶硅层；在所述多晶硅层表面形成掩膜层；在所述多晶硅层表面形成的所述掩膜层上形成厚度为4000埃以上的保护层；去除多余掩膜层；去除保护层。