| 发明名称 | 一种去除晶圆背面掩膜层的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种去除晶圆背面掩膜层的方法，依次包括以下步骤：在晶圆的一面生长多晶硅层；在晶圆背面和多晶硅层表面生长掩膜层；将晶圆背面朝向喷液机台的喷嘴；从喷嘴喷射清洗液，去除晶圆背面的掩膜层。本发明还提供了一种生产晶圆的方法，依次包括以下步骤：在晶圆上生长掩膜层；对晶圆背面进行清洗；对晶圆正面进行光刻，形成电路图案。 | ||
| 申请公布号 | CN103972074A | 申请公布日期 | 2014.08.06 |
| 申请号 | CN201310036133.X | 申请日期 | 2013.01.30 |
| 申请人 | 无锡华润上华科技有限公司 | 发明人 | 李健 |
| 分类号 | H01L21/311(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/311(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人 | 马晓亚 |
| 主权项 | 一种去除晶圆背面掩膜层的方法，依次包括以下步骤：在晶圆的一面生长多晶硅层；在所述晶圆背面和所述多晶硅层表面生长掩膜层；其特征在于，该方法还依次包括以下步骤：将所述晶圆背面朝向喷液机台的喷嘴；从喷嘴喷射清洗液，去除所述晶圆背面的掩膜层。 | ||
| 地址 | 214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号 | ||