| 发明名称 | 一种薄膜晶体管及其制作方法、显示基板、显示装置 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种薄膜晶体管及其制作方法、显示基板和显示装置。所述方法包括：形成有源层材料层；在有源层材料层上形成刻蚀阻挡层材料层，所述刻蚀阻挡层材料层为对源、漏极金属刻蚀液起阻挡作用的导电材料；对所述有源层材料层和刻蚀阻挡层材料层采用一次构图工艺形成有源层和初始刻蚀阻挡层图形，所述初始刻蚀阻挡层图形包括第一区域、第二区域和第三区域；所述第一区域和第三区域上表面分别为形成源、漏极的区域，所述第二区域为除第一区域与第三区域之外的区域；通过构图工艺在所述第一区域和第二区域上分别形成源、漏极；进行退火工艺，使得所述初始刻蚀阻挡层图形中第二区域的导电材料转变成绝缘材料，形成刻蚀阻挡层图形。 | ||
| 申请公布号 | CN103972299A | 申请公布日期 | 2014.08.06 |
| 申请号 | CN201410174331.7 | 申请日期 | 2014.04.28 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发明人 | 方婧斐;姜春生 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 宋焰琴 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管的制作方法，包括：在基板上形成有源层材料层；在有源层材料层上形成刻蚀阻挡层材料层，所述刻蚀阻挡层材料层为对源、漏极金属刻蚀液起阻挡作用的导电材料；对所述有源层材料层和刻蚀阻挡层材料层采用一次构图工艺形成有源层和初始刻蚀阻挡层图形，所述初始刻蚀阻挡层图形包括第一区域、第二区域和第三区域；所述第一区域和第三区域上表面分别为形成源、漏极的区域，所述第二区域为所述初始刻蚀阻挡层图形中除第一区域与第三区域之外的区域；通过构图工艺在所述第一区域和第二区域上分别形成源、漏极；进行退火工艺，使得所述初始刻蚀阻挡层图形中第二区域的导电材料转变成绝缘材料，形成刻蚀阻挡层图形。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||