侧墙结构、侧墙结构的制备方法、CMOS器件

摘要

本发明提出了一种侧墙结构及其制备方法，以及具有此侧墙结构的CMOS器件，通过改进现有的第二侧墙结构，将原有的ON结构的第二侧墙改为ONO结构的第二侧墙，使其中的氮化层的厚度减小；同时，在氮化层上再沉积一层氧化层，是为了确保原有的源/漏离子注入区域不变，从而形成堆叠的ONO结构；经热处理工艺后，由于减薄的氮化层对有源区的应力明显降低，从而减小了其对有源区造成的位错缺陷，减少了元件漏电现象，提高了器件的良率。

主权项

一种侧墙结构，包括第一侧墙和第二侧墙，其特征在于，所述第二侧墙包括下氧化层‑氮化层‑上氧化层形成的ONO结构。