发明名称 具有矽贯穿电极的晶片以及其形成方法;CHIP WITH THROUGH SILICON VIA ELECTRODE AND METHOD OF FORMING THE SAME
摘要 本发明提供了一种形成具有矽贯穿电极的晶片的方法。首先提供一基底,具有一第一表面、一第二表面,接着从基底之第二表面进行一薄化制程,使得第二表面成为一第三表面。然后形成一贯穿孔,贯穿孔贯穿基底之第一表面以及第三表面。后续于基底之第三表面上形成一图案化物质层,其中图案化物质层具有一开口,开口暴露贯穿孔。最后同时于贯穿孔以及开口中填入一导电层,使得在贯穿孔中的导电层形成一矽贯穿电极,以及在开口中的导电层形成一表面导电层。
申请公布号 TW201431019 申请公布日期 2014.08.01
申请号 TW102102321 申请日期 2013.01.22
申请人 联华电子股份有限公司 发明人 林明哲;林钜富;郭建利;林永昌
分类号 H01L23/48(2006.01);H01L23/52(2006.01) 主分类号 H01L23/48(2006.01)
代理机构 代理人 <name>吴丰任</name><name>戴俊彦</name>
主权项
地址 UNITED MICROELECTRONICS CORP. 新竹市新竹科学工业园区力行二路3号