发明名称 | 具有矽贯穿电极的晶片以及其形成方法;CHIP WITH THROUGH SILICON VIA ELECTRODE AND METHOD OF FORMING THE SAME | ||
摘要 | 本发明提供了一种形成具有矽贯穿电极的晶片的方法。首先提供一基底,具有一第一表面、一第二表面,接着从基底之第二表面进行一薄化制程,使得第二表面成为一第三表面。然后形成一贯穿孔,贯穿孔贯穿基底之第一表面以及第三表面。后续于基底之第三表面上形成一图案化物质层,其中图案化物质层具有一开口,开口暴露贯穿孔。最后同时于贯穿孔以及开口中填入一导电层,使得在贯穿孔中的导电层形成一矽贯穿电极,以及在开口中的导电层形成一表面导电层。 | ||
申请公布号 | TW201431019 | 申请公布日期 | 2014.08.01 |
申请号 | TW102102321 | 申请日期 | 2013.01.22 |
申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 林明哲;林钜富;郭建利;林永昌 |
分类号 | H01L23/48(2006.01);H01L23/52(2006.01) | 主分类号 | H01L23/48(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | <name>吴丰任</name><name>戴俊彦</name> | |
主权项 | |||
地址 | UNITED MICROELECTRONICS CORP. 新竹市新竹科学工业园区力行二路3号 |