发明名称 研磨用组成物及研磨方法
摘要 一种研磨用组成物,其含有抑制研磨用组成物的研磨能力劣化之劣化抑制剂、研磨料、及水。劣化抑制剂系选自多醣类(polysaccharide)及聚乙烯醇(polyvinyl alcohol)的至少一种。多醣类为淀粉、淀粉果胶(amylopectin)、肝醣、纤维素(cellulose)、果胶(pectin)、半纤维素(hemicellulose)、聚三葡萄糖(pullulan)或痂囊腔菌聚糖(elsinan),其中,较佳为聚三葡萄糖。研磨料系选自氧化铝及二氧化矽的至少一种,较佳为选自燻矽(fumed silica)、燻铝(fumed alumina)及胶质矽(colloidal silica)的至少一种。此研磨用组成物可适用于形成半导体元件中之导线之研磨。
申请公布号 TWI447213 申请公布日期 2014.08.01
申请号 TW094108575 申请日期 2005.03.21
申请人 福吉米股份有限公司 日本 发明人 吴俊辉;河村笃纪;松田刚;平野达彦;酒井谦児;堀和伸
分类号 C09K3/14 主分类号 C09K3/14
代理机构 代理人 李宗德 台北市大安区敦化南路2段218号5楼A区
主权项 一种研磨用组成物,用于研磨欲研磨之一物体,该物体内一阻障层及一导电层依序地被提供于具有沟槽之一绝缘层上,每一该阻障层及该导电层具有一部分置于该沟槽外及一部分置于该沟槽内侧,该研磨用组成物特征在于抑制研磨用组成物的研磨能力劣化之一劣化抑制剂、一研磨料及水,其中该劣化抑制剂系细胞外多醣类,且在该研磨用组成物内的含量以重量计为0.01至0.5%;其中,为了暴露该绝缘层的一顶面,该研磨欲研磨之该物体之步骤包含:以研磨去除一部份置于该沟槽外之该部分导电层的一子(sub)步骤;以及以研磨去除一残留部分之一子步骤,其中该残留部分为置于该沟槽外之该导电层部分及置于该沟槽外之该阻障层部分;且其中该研磨用组成物系使用在去除一部分置于该沟槽外之该导电层部分的该子步骤。
地址 日本
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