| 发明名称 |
降低线边缘粗糙度之半导体结构的制造方法 |
| 摘要 |
一种降低线边缘粗糙度之半导体结构的制造方法，包括：提供一元件层，其上具有一图案化阻剂层；施行一电浆蚀刻程序，以形成一图案化元件层，其中该电浆蚀刻程序系于相对高操作频率之一连续开启状态电压下，及具有脉波调整之相对低操作频率之一开启-关闭状态电压下操作。 |
| 申请公布号 |
TWI447808 |
申请公布日期 |
2014.08.01 |
| 申请号 |
TW100138228 |
申请日期 |
2011.10.21 |
| 申请人 |
南亚科技股份有限公司 桃园县龟山乡华亚科技园区复兴三路669号 |
发明人 |
吴常明;陈逸男;刘献文 |
| 分类号 |
H01L21/3065 |
主分类号 |
H01L21/3065 |
| 代理机构 |
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代理人 |
洪澄文 台北市南港区三重路19之6号2楼;颜锦顺 台北市南港区三重路19之6号2楼 |
| 主权项 |
一种降低线边缘粗糙度之半导体结构的制造方法，包括：提供一元件层，具有一图案化阻剂层形成于其上；以及施行一电浆蚀刻程序，图案化具有该图案化阻剂层于其上之该元件层，以形成一图案化元件层，其中该电浆蚀刻程序系同时于相对高操作频率之一连续开启状态电压下以及具有脉波调整之相对低操作频率之一开启-关闭状态电压下操作。 |
| 地址 |
桃园县龟山乡华亚科技园区复兴三路669号 |
