发明名称 Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Strahlungssensor
摘要 In mindestens einer Ausführungsform umfasst das optoelektronische Halbleiterbauteil (1) einen optoelektronischen Halbleiterchip (2) zur Detektion von Strahlung. Ferner beinhaltet das Halbleiterbauteil (1) ein erstes Filterelement (31), das ein Bragg-Filter ist, und ein zweites Filterelement (32), das ein metallischer plasmonischer Filter ist. Das erste und das zweite Filterelement (31, 32) sind entlang eines Laufwegs (D) einer zu detektierenden Strahlung (R) aufeinander folgend angeordnet und weisen voneinander verschiedene Transmissionsspektren mit je zumindest einem spektralen Transmissionsfenster auf. Absorptionsbereiche des ersten und des zweiten Filterelements (31, 32) überlappen und befinden sich je beiderseits des zumindest einen Transmissionsfensters des entsprechenden Filterelements.
申请公布号 DE102013101001(A1) 申请公布日期 2014.07.31
申请号 DE201310101001 申请日期 2013.01.31
申请人 OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH 发明人 HALBRITTER, HUBERT;MÜLLER, CHRISTIAN
分类号 H01L31/0232;G01J1/04 主分类号 H01L31/0232
代理机构 代理人
主权项
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