| 发明名称 |
Fabrication of III-Nitride Layers |
| 摘要 |
A method that includes implantation of dopants while a III-nitride body is being grown on a substrate, and an apparatus for the practice of the method. |
| 申请公布号 |
US2014213046(A1) |
申请公布日期 |
2014.07.31 |
| 申请号 |
US201414229732 |
申请日期 |
2014.03.28 |
| 申请人 |
International Rectifier Corporation |
发明人 |
Briere Michael A. |
| 分类号 |
H01L21/02 |
主分类号 |
H01L21/02 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
El Segundo CA US |
