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Eine Dampfphasenepitaxievorrichtung einer Ausführungsform weist auf: eine Schauerplatte in einem oberen Abschnitt der Reaktionskammer, wobei die Schauerplatte erste laterale Gasströmungsdurchgänge in einer ersten horizontalen Ebene aufweist, erste longitudinale Gasströmungsdurchgänge mit den ersten lateralen Gasströmungsdurchgängen verbunden sind, wobei sich die ersten longitudinalen Gasströmungsdurchgänge in der Längsrichtung erstrecken, jeder der ersten longitudinalen Gasströmungsdurchgänge eine erste Gasausgabeöffnung aufweist, wobei die Schauerplatte zweite laterale Gasströmungsdurchgänge in einer zweiten horizontalen Ebene oberhalb der ersten horizontalen Ebene aufweist, wobei die zweite longitudinale Gasströmungsdurchgänge mit den zweiten lateralen Gasströmungsdurchgängen verbunden sind, die zweiten longitudinalen Gasströmungsdurchgänge sich in der Längsrichtung zwischen den ersten lateralen Gasströmungsdurchgängen hindurch erstrecken, wobei jeder der zweiten longitudinalen Gasströmungsdurchgänge eine zweite Gasausgabeöffnung aufweist, und eine Unterstützungseinheit, die unterhalb der Schauerplatte vorgesehen ist. |
