| 发明名称 | 用于生长晶锭的装置和方法 | ||
| 摘要 | 一种根据本发明的一个实施例的用于生长晶锭的装置包括：用于容纳硅熔化物的坩埚；提升装置，所述提升装置位于所述坩埚的上侧，以沿竖直方向被移动；以及掺杂物提供单元，所述掺杂物提供单元被连接到所述提升装置并且将掺杂物提供给所述硅熔化物。所述掺杂物提供单元包括底表面和侧表面，所述底表面具有至少一个孔。 | ||
| 申请公布号 | CN103958745A | 申请公布日期 | 2014.07.30 |
| 申请号 | CN201280058583.2 | 申请日期 | 2012.11.28 |
| 申请人 | LG矽得荣株式会社 | 发明人 | 姜仁求;金尚熹 |
| 分类号 | C30B15/04(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I;C30B15/00(2006.01)I | 主分类号 | C30B15/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人 | 归莹;张颖玲 |
| 主权项 | 一种晶锭生长装置，包括：容纳硅熔化物的坩埚；牵拉机构，所述牵拉机构被布置在所述坩埚的上方以向上和向下移动；以及掺杂物供应部件，所述掺杂物供应部件被连接到所述牵拉机构以将掺杂物提供给所述硅熔化物，其中，所述掺杂物供应部件包括底表面和侧表面，所述底表面和侧表面设置有一个或多个孔。 | ||
| 地址 | 韩国庆尚北道 | ||