发明名称 自定位宽边电桥波导及其真空钎焊工艺
摘要 本发明公开了一种自定位宽边电桥波导及其真空钎焊工艺,自定位宽边电桥波导,它包括上半部波导、下半部波导、封板A(5)和封板B(6),所述上半部波导包括上腔体(1)和位于上腔体(1)的端口外侧的法兰盘A(2),上腔体(1)和法兰盘A(2)一体成型;下半部波导包括下腔体(3)和位于下腔体(3)的端口外侧的法兰盘B(4),下腔体(3)和法兰盘B(4)一体成型,上半部波导靠近接触面的一侧设有自定位卡扣,下半部波导自定位卡扣相匹配的自定位卡槽,上半部波导和下半部波导通过自定位卡扣和自定位卡槽进行定位。本发明具有自定位、波导对位精度高、且抗腐蚀能力强。
申请公布号 CN103956550A 申请公布日期 2014.07.30
申请号 CN201410167471.1 申请日期 2014.04.24
申请人 成都锦江电子系统工程有限公司 发明人 廖东波;涂学明;陈忠;黄东;杨琴;陈峥
分类号 H01P3/12(2006.01)I;H01P5/12(2006.01)I;H01P11/00(2006.01)I;B23K1/008(2006.01)I;B23P15/00(2006.01)I 主分类号 H01P3/12(2006.01)I
代理机构 成都金英专利代理事务所(普通合伙) 51218 代理人 袁英
主权项 自定位宽边电桥波导,其特征在于:它包括上半部波导、下半部波导、封板A(5)和封板B(6),封板A(5)和封板B(6)通过定位销分别与上半部波导和下半部波导连接,上半部波导和下半部波导焊接在一起,所述上半部波导包括上腔体(1)和位于上腔体(1)的端口外侧的法兰盘A(2),上腔体(1)和法兰盘A(2)一体成型;下半部波导包括下腔体(3)和位于下腔体(3)的端口外侧的法兰盘B(4),下腔体(3)和法兰盘B(4)一体成型,上半部波导靠近接触面的一侧设有自定位卡扣,下半部波导自定位卡扣相匹配的自定位卡槽,上半部波导和下半部波导通过自定位卡扣和自定位卡槽进行定位。
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