| 发明名称 | 微米级锥形阵列结构的激光成型方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种微米级锥形阵列结构的激光成型方法，包括，步骤10，清洗和/或打磨待加工的原材料的表面；步骤20，使用激光器照射原材料的表面的一个位置；步骤30，激光束斑在原材料的表面移动，照射原材料的表面的另一位置；步骤40，反复进行步骤20至步骤30，照射原材料所有需要生成锥形结构的表面，使原材料的表面形成阵列式排列的锥形结构。应用本发明的技术方案，使用激光作为快速成型的手段，可以迅速在材料表面生成锥形阵列结构，技术相对简单且成本低，重复性高。 | ||
| 申请公布号 | CN103934580A | 申请公布日期 | 2014.07.23 |
| 申请号 | CN201410076831.7 | 申请日期 | 2014.03.04 |
| 申请人 | 中国神华能源股份有限公司;神华科学技术研究院有限责任公司 | 发明人 | 申万 |
| 分类号 | B23K26/50(2014.01)I;B23K26/60(2014.01)I;B23K26/14(2014.01)I | 主分类号 | B23K26/50(2014.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人 | 吴贵明;张永明 |
| 主权项 | 一种微米级锥形阵列结构的激光成型方法，其特征在于，包括，步骤10，清洗和/或打磨待加工的原材料的表面；步骤20，使用激光器照射所述原材料的表面的一个位置；步骤30，激光束斑在所述原材料的表面移动，照射所述原材料的表面的另一位置；步骤40，反复进行步骤20至步骤30，照射所述原材料所有需要生成锥形结构的表面，使所述原材料的表面形成阵列式排列的锥形结构。 | ||
| 地址 | 100011 北京市东城区安定门西滨河路22号 | ||