发明名称 |
一种外延工艺腔体温度校准的方法 |
摘要 |
本发明公开了一种外延工艺腔体温度校准的方法,属于半导体集成电路中衬底的外延工艺领域,首先建立硅本征外延层厚度-机台腔体温度的映射关系,在生产工艺监控过程中,检查硅本征外延层是否存在局部厚度超过预设阈值,进而通过温度调节装置校准机台腔体温度。本发明提供的方法简单高效,适用于工业生产中硅片温度的日常监控,可提高温度控制精度,此外还可有效探测机台内是否出现腔体污染或石英组件破裂等问题;另外,本发明提供的外延膜层结构,通过设置固定的锗浓度,在进行光学测量膜层厚度时,可以更清晰的分清各外延层之间的界面,使测量外延层厚度更加容易同时精准。 |
申请公布号 |
CN103938269A |
申请公布日期 |
2014.07.23 |
申请号 |
CN201410174739.4 |
申请日期 |
2014.04.28 |
申请人 |
上海华力微电子有限公司 |
发明人 |
曹威;江润峰 |
分类号 |
C30B25/16(2006.01)I |
主分类号 |
C30B25/16(2006.01)I |
代理机构 |
上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 |
代理人 |
吴世华;林彦之 |
主权项 |
一种外延工艺腔体温度校准的方法,其特征在于,包括:步骤S01、建立硅本征外延层厚度‑机台腔体温度的映射关系;其中,所述步骤S01具体包括:步骤S011、提供若干硅衬底,且在各硅衬底上依次形成硅锗外延层和硅本征外延层;其中,所述各硅本征外延层预设为不同的厚度;步骤S012、针对不同厚度的硅本征外延层,分别记录热偶测量机台腔体的实际温度,进而将各硅本征外延层厚度值和机台腔体温度值一一对应,形成硅本征外延层厚度‑机台腔体温度的映射关系;步骤S02、生产工艺监控过程中,根据硅本征外延层厚度‑机台腔体温度的映射关系,通过温度调节装置校准机台腔体温度;其中,所述步骤S02具体包括:步骤S021、通过光学测量硅本征外延层的厚度分布,检查硅本征外延层是否存在局部厚度超过预设阈值;步骤S022、若硅本征外延层存在局部厚度超过预设阈值,则根据硅本征外延层厚度‑机台腔体温度的映射关系,通过温度调节装置校准机台腔体温度。 |
地址 |
201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号 |