一种基于激光剥离的半导体发光器件的制备方法

摘要

本发明提供了一种在激光剥离蓝宝石衬底过程中，对LED管芯进行保护的方法。本发明提出在刻蚀外延层形成分立的管芯时，在管芯之间保留了部分外延层作为隔离带，解决了激光剥离过程中管芯边缘破裂的问题，提高了成品率。本发明应用于GaN基半导体发光器件的制备。

主权项

一种半导体发光器件的制备方法，包括：在蓝宝石衬底上依次生长缓冲层、N型GaN层、活性层、P型GaN层，形成外延层；刻蚀所述外延层至暴露蓝宝石衬底以产生多个分立的管芯，每两个相邻的所述管芯之间都保留部分外延层作为隔离带，并且管芯四周的隔离带至少有一处是不相连的；采用激光剥离方法去除蓝宝石衬底。