| 主权项 |
一种记忆体系统，其包括：一非挥发性半导体记忆体，其包含复数个第一储存区域，且能够具有：一或多个第二储存区域，该一或多个第二储存区域系包含于该复数个第一储存区域中且其中未储存有效资料，该有效资料系储存于与一逻辑位址相关联之一实体位址处之资料，该逻辑位址系自主机指定之一位址，该实体位址指示一半导体记忆体之一储存区域中之一资料储存位置；复数个第三储存区域，其等系包含于该复数个第一储存区域中且系藉由在其中复制并储存自一主机接收之资料而获得；及复数个第四储存区域，其等系包含于该复数个第一储存区域中且系藉由在其中复制并储存储存于该等第三储存区域中或储存于该等第四储存区域中之资料而获得；一第一储存单元，其经组态以在其中储存指示该复数个第一储存区域之哪个区域系该第二储存区域之第一管理资讯；一第二储存单元，其经组态以在其中储存指示该复数个第一储存区域之哪些区域系该等第三储存区域之第二管理资讯；一第三储存单元，其经组态以在其中储存指示该复数个第一储存区域之哪些区域系该等第四储存区域之第三管理资讯；一第一接收单元，其经组态以接收写入请求资料，该写入请求资料系被请求藉由该主机写入之资料；一撷取单元，其经组态以基于该第一管理资讯而自该一或多个第二储存区域撷取一第二储存区域；一第一写入单元，其经组态以将该写入请求资料以一第一模式写入至藉由该撷取单元撷取之该第二储存区域；一选择单元，其经组态以在该等第二储存区域之数目小于或等于一第一临限值时，基于该第二管理资讯而自该复数个第三储存区域选择一或多个储存区域或基于该第三管理资讯而自该复数个第四储存区域选择一或多个储存区域；一第二写入单元，其经组态以将储存于藉由该选择单元选择之该储存区域中之有效资料以一第二模式写入至藉由该撷取单元撷取之该第二储存区域；一管理资讯更新单元，其经组态以在该第二写入单元写入该有效资料时，自该第二管理资讯或该第三管理资讯删除经选择之储存区域并且将该经选择之储存区域添加至该第一管理资讯；一第二接收单元，其经组态以自该主机接收资料之一读取请求；及一读取单元，其经组态以在被请求藉由该读取请求读取之资料已被写入至该第三储存区域时以该第一模式读取资料且在被请求藉由该读取请求读取之资料已被写入至该第四储存区域时以该第二模式读取资料，其中该第一模式中之一写入速度比该第二模式中之写入速度快，及该第一模式中之可写入于一相同储存区域中之资讯之一最大量系小于该第二模式中之可写入于一相同储存区域中之资讯之最大量。 |
