| 摘要 |
1. Способ для записи в ячейку оперативной памяти (MRAM) с использованием термической операции записи, причем упомянутая ячейка MRAM содержит:- магнитный туннельный переход, содержащий слой запоминания, обладающий намагниченностью запоминания, которую можно отрегулировать, когда магнитный туннельный переход нагрет до высокотемпературного порога, и зафиксировать, когда магнитный туннельный переход охлажден до низкотемпературного порога; опорный слой, обладающий фиксированным опорной намагниченностью; и туннельный барьерный слой, расположенный между слоями считывания и запоминания; и- линию тока, электрически соединенную с упомянутым магнитным туннельным переходом;- при этом упомянутый способ содержит этапы, на которых:- пропускают ток нагрева по магнитному туннельному переходу через линию тока для нагрева магнитного туннельного перехода;- сразу после достижения магнитным туннельным переходом высокотемпературного порога, пропускают ток поля, который генерирует магнитное поле записи, которое переключает намагниченность запоминания в записанном направлении, по существу, параллельно или антипараллельно относительно опорной намагниченности, в соответствии с полярностью тока поля;причем величина тока нагрева является такой, что он действует как спин-поляризованный ток и вызывает регулировку переноса спина по намагниченности запоминания; иполярность тока нагрева является такой, что она вызывает регулировку переноса спина по намагниченности запоминания, по существу, в упомянутом записанном направлении.2. Способ по п. 1, в котором ячейка MRAM дополнительно содержит биполярный транзистор в электрическом соед |
