基于m面GaN上的极性InGaN纳米线材料及其制作方法

摘要

本发明公开了一种基于m面GaN上的极性InGaN纳米线材料及其制作方法，主要解决常规极性InGaN纳米线生长效率低，方向一致性差的问题。其生长步骤是：(1)在m面GaN衬底上蒸发一层2-15nm金属Ti；(2)将有金属Ti的m面GaN衬底置于MOCVD反应室中，并向反应室内通入氢气与氨气，使m面GaN衬底上的一部分金属Ti氮化形成TiN，并残余一部分未被氮化的金属Ti；(3)向MOCVD反应室中同时通入铟源、镓源和氨气，利用未被氮化的金属Ti作为催化剂在TiN层上生长平行于衬底、方向一致的极性InGaN纳米线。本发明具有生长速率快，方向一致性好的优点，可用于制作高性能极性InGaN纳米器件。

主权项

一种基于m面GaN上的极性InGaN纳米线材料，自下而上包括m面GaN衬底层(1)和极性InGaN纳米线层(3)，其特征在于：m面GaN衬底层(1)的上面设有2‑15nm厚的TiN层，极性InGaN纳米线层(3)位于TiN层的上面，该极性InGaN纳米线层(3)中含有若干条平行于衬底、方向一致且每条长度在10‑100μm范围随机产生的极性InGaN纳米线。