氧化物薄膜晶体管阵列基板及其制造方法

摘要

本发明实施例公开了一种氧化物薄膜晶体管阵列基板及其制造方法，本发明实施例通过在TFT阵列基板中，通过氧化物半导体将TFT器件中的有源层和像素区域的像素电极同层设置，将像素电极的氧化物半导体处理为掺氢的氧化物半导体，增加像素电极的导电性能，并且刻蚀阻挡层、源/漏电极层和钝化层均暴露出像素电极，源漏电极分别和有源层电连接，漏电极还与像素电极电连接，相比于现有技术中的氧化物TFT阵列基板，减少了像素ITO层，能够降低氧化物TFT阵列基板的生产成本。

主权项

一种氧化物薄膜晶体管TFT阵列基板，其特征在于，包括：TFT器件；所述TFT器件包括：衬底；栅极，形成在所述衬底上；栅绝缘层，形成在所述栅极和所述衬底上；有源层，形成在所述栅绝缘层上，通过氧化物半导体材质与像素电极同层设置，所述像素电极裸露；其中，所述像素电极的材质为掺氢的氧化物半导体；刻蚀阻挡层，形成在所述有源层上；源/漏电极层，形成在所述刻蚀阻挡层上，包括源电极和漏电极，所述源电极和所述漏电极分别通过所述刻蚀阻挡层上的过孔与所述有源层电连接，所述漏电极与所述像素电极电连接；钝化层，形成在所述源/漏电极层上。