一种卤化氢修饰碳纳米材料及其制备和纯化方法

摘要

本发明公开了一种卤化氢修饰碳纳米材料及其制备和纯化方法。以多孔材料为载体、氢卤酸为卤素源，在相转移催化剂作用下反应制备卤素接枝的碳纳米复合材料，克服了现有技术中通过氧化-Hunsdiecker反应接枝碘及采用氯、溴单质直接修饰碳纳米材料接枝氯、溴等制备工艺的反应条件苛刻、反应剧烈而致使碳纳米材料基本结构被破坏等缺点。本工艺所采用的实验条件温和，制得的碳纳米复合材料接枝卤素量高。此外，卤素接枝量可通过改变反应时间实现调控。

主权项

一种卤化氢修饰碳纳米材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)室温下，将碳纳米材料加入氢卤酸、多孔材料、相转移催化剂，惰性气体保护下超声分散；(2)然后在无氧及避光条件下，搅拌升温至60～100℃反应6～30天，反应期间补加相应氢卤酸溶液；（3）反应结束后，冷却反应物至室温，滤膜过滤，滤渣用去离子水洗涤至滤液为中性，收集残留在滤膜上的固体滤渣，得卤化氢修饰碳纳米材料的粗产物。