| 发明名称 | MOS晶体管的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种MOS晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成伪栅结构，并在伪栅结构两侧的半导体衬底上形成层间介质层，所述伪栅结构包括位于半导体衬底上的伪栅介质层和位于伪栅介质层上的伪栅，所述伪栅的上表面与所述层间介质层的上表面齐平；去除所述伪栅；通过氨水、双氧水和水的混合溶液去除所述伪栅介质层，形成凹槽；在所述凹槽内形成栅极结构，所述栅极结构的上表面与所述层间介质层的上表面齐平。本发明所形成的MOS晶体管性能好、成品率高。 | ||
| 申请公布号 | CN103928331A | 申请公布日期 | 2014.07.16 |
| 申请号 | CN201310011744.9 | 申请日期 | 2013.01.11 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 何永根;刘焕新 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种MOS晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成伪栅结构，并在伪栅结构两侧的半导体衬底上形成层间介质层，所述伪栅结构包括位于半导体衬底上的伪栅介质层和位于伪栅介质层上的伪栅，所述伪栅的上表面与所述层间介质层的上表面齐平；去除所述伪栅；通过氨水、双氧水和水的混合溶液去除所述伪栅介质层，形成凹槽；在所述凹槽内形成栅极结构，所述栅极结构的上表面与所述层间介质层的上表面齐平。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||