| 摘要 |
本发明提供一种含有光子晶体构造之半导体雷射之制造方法，上述光子晶体构造具有空孔之排列，于该方法中，将基板W2设置于成长炉13中，于使载气(氮)流动之同时，将成长炉13之温度上升至成长温度TG。于该升温过程中，形成有图案之InGaN层17a之开口17b受到影响，开口17b中之AlX2Ga1-X2N成长及迁移与AlX2Ga1-X2N之表面相比受到抑制。于InGaN层17a上形成氮化镓系半导体层23(例如GaN层)。氮化镓系半导体层(AlX2Ga1-X2N)23以形成与开口17b相对应之空孔25之方式而成长。藉此，形成二维光子晶体之二维绕射光栅26。 |
