| 发明名称 | 用于加工半导体晶片的基座 | ||
| 摘要 | 本实用新型涉及用于加工半导体晶片的基座。本实用新型要解决的技术问题之一在于提供有助于减少半导体晶片上的缺陷的用于加工半导体晶片的基座。提供一种用于加工半导体晶片的基座，包括：所述基座的第一表面；所述基座的第二表面，所述第二表面与所述第一表面相对；所述基座的外半径；所述基座的外侧边缘；晶片凹槽，其被形成为所述第一表面中的并向所述第二表面延伸的凹部，所述晶片凹槽具有小于所述外半径的凹槽半径并具有外边缘；以及流量控制结构，其被定位于所述第一表面中所述基座的所述外侧边缘与所述晶片凹槽的所述外边缘之间的一部分上。本实用新型的优越效果在于实现一种有助于减少半导体晶片上的缺陷的用于加工半导体晶片的基座。 | ||
| 申请公布号 | CN203707097U | 申请公布日期 | 2014.07.09 |
| 申请号 | CN201420082794.6 | 申请日期 | 2014.02.26 |
| 申请人 | 半导体元件工业有限责任公司 | 发明人 | H·B·齐亚德;小J·M·帕西 |
| 分类号 | H01L21/673(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/673(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 郭思宇 |
| 主权项 | 一种用于加工半导体晶片的基座，其特征在于包括：所述基座的第一表面；所述基座的第二表面，所述第二表面与所述第一表面相对；所述基座的外半径；所述基座的外侧边缘；晶片凹槽，被形成为所述第一表面中的并向所述第二表面延伸的凹部，所述晶片凹槽具有小于所述外半径的凹槽半径并具有外边缘；以及流量控制结构，被定位于所述第一表面中所述基座的所述外侧边缘与所述晶片凹槽的所述外边缘之间的一部分上。 | ||
| 地址 | 美国亚利桑那 | ||