一种金属硅化物栅极的形成方法

摘要

本发明公开了一种金属硅化物栅极的形成方法，该方法包含以下步骤：步骤1.金属多晶硅栅极图形的形成；步骤2.金属多晶硅栅极的第一次栅极刻蚀；步骤3.光刻胶去除；步骤4.介质膜沉积；步骤5.第二次栅极刻蚀。本发明利用两次栅极刻蚀，在第一次刻蚀后露出金属硅化物以及缓冲层侧壁，沉积一层介质膜，阻挡住后续高温氧化工艺中金属元素和氧元素的化学反应，从而解决缓冲层突出的问题。另外在第一次刻蚀之前避免高温工艺，等金属硅化物图形形成以后再进行相应高温工艺，这样可以避免由于硅的团簇导致的刻蚀凹孔问题。

主权项

一种金属硅化物栅极的形成方法，其特征在于，该方法包含以下步骤：步骤1，金属多晶硅栅极图形的形成，具体为：在硅基板上形成一层栅极介电层，在栅极介电层上形成一层栅极多晶硅，在栅极多晶硅上形成一层金属硅化物的缓冲层和/或阻挡层，在缓冲层和/或阻挡层上形成一层金属硅化物，然后涂布光刻胶形成金属多晶硅栅极图形；所述金属硅化物的缓冲层和/或阻挡层采用物理气相沉积法形成，其形成温度为常温～300℃，其中缓冲层的厚度为0‑50埃，阻挡层的厚度为0‑100埃；步骤2，金属多晶硅栅极的第一次栅极刻蚀；第一次栅极刻蚀停止在栅极多晶硅层，在光刻胶打开区域栅极多晶硅以上膜质被全部去除，栅极多晶硅层被部分去除；步骤3，光刻胶去除；步骤4，介质膜沉积，所述介质膜采用化学气相沉积法沉积，所述介质膜沉积厚度在20埃～200埃；步骤5，第二次栅极刻蚀；步骤6，经过高温氧化后在第一次刻蚀界面以下区域的侧壁形成氧化膜，没有凹孔缺陷和缓冲层突出缺陷。