| 发明名称 | 堆叠纳米线制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种堆叠纳米线制造方法，包括：在衬底上形成介质堆叠结构；在介质堆叠结构中刻蚀形成第一沟槽；在介质堆叠结构中、第一沟槽的侧面刻蚀形成第二沟槽；在第一和第二沟槽中外延生长半导体材料；去除介质堆叠结构，留下半导体材料；减薄半导体材料，形成纳米线堆叠。依照本发明的堆叠纳米线制造方法，采用交叠的多层介质材料以利于选择性刻蚀形成纳米线阵列，减少了工艺步骤，降低了成本，提高了器件的可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN103915324A | 申请公布日期 | 2014.07.09 |
| 申请号 | CN201310007089.X | 申请日期 | 2013.01.09 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 马小龙;殷华湘;周华杰;徐秋霞;赵恒亮;许淼;朱慧珑 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人 | 陈红 |
| 主权项 | 一种堆叠纳米线制造方法，包括：在衬底上形成介质堆叠结构；在介质堆叠结构中刻蚀形成第一沟槽；在介质堆叠结构中、第一沟槽的侧面刻蚀形成第二沟槽；在第一和第二沟槽中外延生长半导体材料；去除介质堆叠结构，留下半导体材料；减薄半导体材料，形成纳米线堆叠。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3# | ||