发明名称 |
一种提升芯片ESD性能的方法和电路 |
摘要 |
出于稳定电源的目的,芯片中可能会给需要稳定的电源连接放电通路,该放电通路能够在电源发生突然增大时,给电源放电,减弱或消除电源的异常变化,增强芯片的抗干扰和抗攻击能力。但是随之带来的问题是芯片的ESD性能可能会受到影响。本发明提出了一种提升芯片ESD性能的方法和电路,既保证了当电源向上突变时对电源的快速放电,又能够提升芯片的ESD性能。 |
申请公布号 |
CN103915830A |
申请公布日期 |
2014.07.09 |
申请号 |
CN201210595901.0 |
申请日期 |
2012.12.28 |
申请人 |
北京中电华大电子设计有限责任公司 |
发明人 |
刘晓艳;马哲 |
分类号 |
H02H9/04(2006.01)I |
主分类号 |
H02H9/04(2006.01)I |
代理机构 |
|
代理人 |
|
主权项 |
一种提升芯片ESD性能的电路,该电路包括放电器件、耦合电容、使能控制管;其中放电器件的栅极接在使能控制管的源极,放电器件源极和衬底接地,漏极接电源,耦合电容上极板接电源,下极板连接使能控制管的漏极,使能控制管衬底接地,漏极连接耦合电容的下极板,源极连接放电器件的栅极。 |
地址 |
100102 北京市朝阳区利泽中二路2号望京科技创业园A座五层 |