发明名称 一种提升芯片ESD性能的方法和电路
摘要 出于稳定电源的目的,芯片中可能会给需要稳定的电源连接放电通路,该放电通路能够在电源发生突然增大时,给电源放电,减弱或消除电源的异常变化,增强芯片的抗干扰和抗攻击能力。但是随之带来的问题是芯片的ESD性能可能会受到影响。本发明提出了一种提升芯片ESD性能的方法和电路,既保证了当电源向上突变时对电源的快速放电,又能够提升芯片的ESD性能。
申请公布号 CN103915830A 申请公布日期 2014.07.09
申请号 CN201210595901.0 申请日期 2012.12.28
申请人 北京中电华大电子设计有限责任公司 发明人 刘晓艳;马哲
分类号 H02H9/04(2006.01)I 主分类号 H02H9/04(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种提升芯片ESD性能的电路,该电路包括放电器件、耦合电容、使能控制管;其中放电器件的栅极接在使能控制管的源极,放电器件源极和衬底接地,漏极接电源,耦合电容上极板接电源,下极板连接使能控制管的漏极,使能控制管衬底接地,漏极连接耦合电容的下极板,源极连接放电器件的栅极。
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