一种MOS管阈值电压测试电路

摘要

本发明公开了一种MOS管阈值电压测试电路。本电路通过测试PMOS管和NMOS管不同组合时的阈值电压，或者测试同一组合的多组电压值，然后根据组合的形式，算出MOS管阈值电压的平均值，如此可以得到MOS管实际的阈值电压，给高精度模拟电路设计提供了可靠的参考，同时对代工厂提供的仿真模型的准确性也有一个直观的把握，给后续的电路设计实现提供了依据。

主权项

一种MOS管阈值电压测试电路，其特征在于：一个限流电阻R一端接电源VDD，另一端接电压测试点TP，测试点TP同时与开关K₁、K₂、K₃、K₄、K₅、K₆……K_n的一端相连接；Case₁、Case₂、Case₃、Case₄、Case₅、Case₆……Case_n是不同的测试电路结构，其中的MOS管都是栅漏短接的二极管连接方式，衬底都是和源极接一起；开关K₁的一端连接TP，另一端连接Case₁中PMOS管M₁的源极，M₁的栅极、漏极接地；开关K₂的一端连接TP，另一端连接Case₂中NMOS管M₂的栅极、漏极，M₂的源极接地；开关K₃的一端连接TP，另一端连接Case₃中PMOS管M₃的源极，M₃的栅极、漏极接PMOS管M4源极，M₄的栅极、漏接地；开关K₄的一端连接TP，另一端连接Case₄中NMOS管M₅的栅极、漏极，M₅的源极与NMOS管M₆的栅极、漏极连接，M₆的源极接地；开关K₅的一端连接TP，另一端连接Case₅中PMOS管M₇的源极，M₇的栅极、漏极与NMOS管M₈的栅极、漏极连接，M₈的源极接地；开关K₆的一端连接TP，另一端连接Case₆中NMOS管M₉的栅极、漏极，M₉的源极与PMOS管M₁₀的源极连接，M₁₀的栅极、漏极接地；开关Kn的一端连接TP，另一端连接到Casen，Casen的电路形式可以是任意可能的待测电路；其中PMOS管M1、M3、M4、M7和M10的尺寸相同，NMOS管M2、M5、M6、M8和M9的尺寸相同，MOS管的具体尺寸可以根据需要设置。