发明名称 |
一种基于AXI总线的存储器控制装置及方法 |
摘要 |
本发明公开了一种基于AXI总线的存储控制装置及方法,包括:在配置双ARM处理器的AXI总线平台上配置NAND控制模块、磨损均衡模块、BCH编解码模块及接口模块,所述NAND控制模块与NAND存储阵列连接。通过以上方案本发明解决了NAND FLASH存储器端口不易更改及扩展的问题,同时可满足使用时所需要的快速存储速度的问题。使得系统可以支持不同数量和不同类型的NAND芯片,提高了系统的适应性和灵活性。 |
申请公布号 |
CN103902481A |
申请公布日期 |
2014.07.02 |
申请号 |
CN201210581608.9 |
申请日期 |
2012.12.27 |
申请人 |
北京华清瑞达科技有限公司 |
发明人 |
雷磊;朱骏;黄啸 |
分类号 |
G06F13/16(2006.01)I |
主分类号 |
G06F13/16(2006.01)I |
代理机构 |
北京商专永信知识产权代理事务所(普通合伙) 11400 |
代理人 |
方挺;葛强 |
主权项 |
一种基于AXI总线的存储控制装置,其特征在于,包括:在配置双ARM处理器的AXI总线平台上配置NAND控制模块、磨损均衡模块、BCH编解码模块及接口模块,所述NAND控制模块与NAND存储阵列连接;接口模块接收外部存储数据,并将接收的外部存储数据通过AXI总线传送到BCH编解码模块中;BCH编解码模块对所述外部存储数据进行BCH编码获取预存外部数据,并将预存外部数据输入到所述NAND控制模块中;磨损均衡模块根据所述NAND存储阵列的内部地址映射获取目标阵列地址,并将目标阵列地址输入到所述NAND控制模块中;当所述预存外部数据与所述目标阵列地址均输入到所述NAND控制模块中时,所述NAND控制模块将预存外部数据从SRAM接口数据转换为NAND接口数据后存入所述目标阵列地址中。 |
地址 |
100085 北京市海淀区学清路九号汇智大厦B座1102室 |