优化自对准接触孔底部金属硅化物形貌的方法

摘要

本发明公开了一种优化自对准接触孔底部金属硅化物形貌的方法，该方法在刻蚀形成接触孔后，成长金属阻挡层前，进行以下工艺步骤：1）在衬底损失区的表面生长一层氧化硅保护层；2）用氮气和氢气进行快速热退火处理；3）去除接触孔底部的氧化硅。本发明通过在衬底损失区域的侧壁上形成氧化硅保护层，避免了自对准接触孔形成时，阻挡层金属Ti与衬底损失区侧壁的Si反应，形成无规则的硅化物延伸，从而保证了半导体器件的性能。

主权项

优化自对准接触孔底部金属硅化物形貌的方法，其特征在于，在刻蚀形成接触孔后，成长金属阻挡层前，包括有以下步骤：1）在衬底损失区的表面生长一层氧化硅保护层；2）使用氮气和氢气进行快速热退火处理；3）去除接触孔底部的氧化硅。