| 发明名称 | 具有埋设的金属硅化物层的半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件，其包括基板和设置在基板上且由沟槽彼此分隔的多个有源柱。多个有源柱的每一个包括埋设的金属硅化物图案和堆叠在埋设的金属硅化物图案上的有源区域，并且有源区域包括杂质结区域。 | ||
| 申请公布号 | CN103904115A | 申请公布日期 | 2014.07.02 |
| 申请号 | CN201310394940.9 | 申请日期 | 2013.09.03 |
| 申请人 | 爱思开海力士有限公司 | 发明人 | 李相道;李海丁;金明洙;姜相吉 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L27/108(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 邱军 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：基板；以及多个有源柱，设置在所述基板上，并且所述多个有源柱由沟槽彼此分隔，其中，所述多个有源柱的每一个包括埋设的金属硅化物图案和堆叠在该埋设的金属硅化物图案上的有源区域，并且所述有源区域包括其中的杂质结区域。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||